旺，大连厂据称延续并追加设备投资

IT之家9月9日消息，《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称，由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好，SK海力士旗下Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG（IT之家注：浮动栅极，F

loatingG

ate）NAND闪存工艺，并获得新的设备投资。

Solidigm大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士，目前主要生产192层FG结构NAND闪存，贡献SK海力士整体闪存生产能力的约三成。

▲基于192层FGQLCNAND的SolidigmD5-P5336固态硬盘

一个NAND单元存储的二进制数据是“0”还是“1”，取决于其含有的电荷多寡。而在如何存储电荷这一核心问题上，现有NAND大致可划分为FG和CT（电荷捕获/电荷阱，旺，大连厂据称延续并追加设备投资C

hargeT

rap）两种流派。

随着3DNAND闪存的发展，临近干扰效应更低的CT结构逐渐取代在2DNAND时代占据主流的FG。不过FG结构也具有其独特优势，更适合每单元比特数更高的QLCNAND闪存。

目前还在主流产品中使用FG结构的大型NAND制造商仅有原英特尔闪存与SSD部门Solidigm，这意味着Solidigm与母公司SK海力士采用不同路线

，开发成本较高。

此前有业界声音认为SK海力士将在完成与英特尔的第二阶段交易后把Solidigm迁移至CT阵营。不过近来随着AI服务器的旺盛需求，单盘容量更大、价格更低的QLCNAND逐渐成为业界焦点，Solidigm业绩也因此转好。

消息人士表示，在此背景下SK海力士没有推动Solidigm大连工厂调整技术路线的动力，而是将增加对该工厂的投资

，以加速PLCNAND闪存与128TB企业级固态硬盘的开发。