新洁能申请一种按圆角矩形排布的功率半导体器件专利，能够增大平台区圆角矩形的圆形拐角处的转弯半径，并消除击穿薄弱点

金融界2024年8月14日消息，天眼查知识产权信息显示，无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种按圆角矩形排布的功率半导体器件“，公开号CN202410581873.X，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明涉及一种按圆角矩形排布的功率半导体器件。本发明包括自下而上依次设置第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、绝缘介质层和源极金属，在所述第一导电类型外延层的顶部设置深沟槽，相邻的所述深沟槽之间的区域为平台区，新洁能申请一种按圆角矩形排布的功率半导体器件专利，能够增大平台区圆角矩形的圆形拐角处的转弯半径，并消除击穿薄弱点每一条所述深沟槽在芯片表面环绕一周形成封闭的深沟槽圆角矩形，相邻的所述深沟槽之间的所述平台区在芯片表面环绕一周形成封闭的平台区圆角矩形，从最外围的所述深沟槽圆角矩形向内方向，所述深沟槽圆角矩形与所述平台区圆角矩形交替分布。本发明能够增大平台区圆角矩形的圆形拐角处的转弯半径，并消除击穿薄弱点。