位宽三星电子计划~年推出内存

位宽，三星电子计划~年推出内存

IT之家7月17日消息，据三星电子2024年异构集成路线图，该企业正积极研发一款名为LPWideI/O的新型移动内存。值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的LLW(LowLatencyWideI/O)内存，尚不能确认两者关系。LPWideI/O内存将于2025年一季度实现技术就绪，2025下半年至2026年中实现量产就绪。路线图显示，LPWideI/O内存单封装位宽将达到现有HBM内存的一半——即512bit。作为对比，目前的LPDDR5内存大多数是单封装四通道共64bit，未来的LPDDR6内存也仅...